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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MUR4L60HB0G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.28V @ 4A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-201AD
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    50ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-201AD, Axial
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 600V 4A Through Hole DO-201AD
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    4A
  • समाई @ वीआर, एफ
    65pF @ 4V, 1MHz
MUR4L40 B0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 50A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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विवरण: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 50A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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MUR5010

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 50A DO5

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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