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RS1DFSHMXG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RS1DFSHMXG
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE, FAST, 1A, 200V
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.3V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOD-128
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    150ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOD-128
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD-128
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    7pF @ 4V, 1MHz
RS1DB-13-F

RS1DB-13-F

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RS1DHE3_A/H

RS1DHE3_A/H

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1DFS MXG

RS1DFS MXG

विवरण: DIODE, FAST, 1A, 200V

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1DFA

RS1DFA

विवरण: DIODE GP 200V 800MA SOD123FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RS1DL MTG

RS1DL MTG

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1DHE3/5AT

RS1DHE3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1DHE3/61T

RS1DHE3/61T

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1DL MHG

RS1DL MHG

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1D-M3/5AT

RS1D-M3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1DB-13

RS1DB-13

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RS1DL M2G

RS1DL M2G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1DHM2G

RS1DHM2G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1D/1

RS1D/1

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1DL MQG

RS1DL MQG

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1DHE3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1D-M3/61T

RS1D-M3/61T

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RS1DFS MWG

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विवरण: DIODE

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1D-E3/61T

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1DHR3G

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RS1DFSHMWG

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विवरण: DIODE

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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