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UG58GHB0G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    UG58GHB0G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    2.1V @ 5A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-201AD
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    20ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-201AD, Axial
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    14 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 600V 5A Through Hole DO-201AD
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    30µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    5A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
UG5JTHE3/45

UG5JTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

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UG58GHA0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

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UG56G B0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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UG5HT-E3/45

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विवरण: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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UG58G B0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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UG58G A0G

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UG5J C0G

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