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2667001TH58NVG4S0HTAK0 छविToshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTAK0

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    TH58NVG4S0HTAK0
  • निर्माता / ब्रांड
    Kioxia America, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    TH58NVG4S0HTAK0.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND (SLC)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP I
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • दुसरे नाम
    TH58NVG4S0HTAK0B4H
    TH58NVG4S0HTAK0YCJ
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Gb (2G x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • अभिगम समय
    25ns
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  • भुगतान

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TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

विवरण: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

विवरण: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

विवरण: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

विवरण: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

विवरण: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

विवरण: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

विवरण: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

विवरण: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

विवरण: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

विवरण: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

विवरण: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

विवरण: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

विवरण: 4G SLC NAND BGA 24NM

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

विवरण: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

विवरण: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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