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289974HN1D04FUTE85LF छविToshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    HN1D04FUTE85LF
  • निर्माता / ब्रांड
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    HN1D04FUTE85LF.pdf
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.2V @ 100mA
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    80V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    US6
  • गति
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    1.6ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • दुसरे नाम
    HN1D04FU(TE85L,F)
    HN1D04FUTE85LFTR
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    150°C (Max)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • डायोड विन्यास
    2 Pair Series Connection
  • विस्तृत विवरण
    Diode Array 2 Pair Series Connection Standard 80V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    500nA @ 80V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    100mA

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निम्नलिखित "HN1D04FUTE85LF" संबंधित उत्पाद हैं।
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

विवरण: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

विवरण: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

विवरण: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

विवरण: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

विवरण: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

विवरण: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

विवरण: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

विवरण: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1C01FYTE85LF

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विवरण: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

विवरण: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

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HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

विवरण: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

विवरण: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1B04FE-Y,LF

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विवरण: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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