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RN1110(T5L,F,T)

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RN1110(T5L,F,T)
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SSM
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms
  • पावर - मैक्स
    100mW
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    SC-75, SOT-416
  • दुसरे नाम
    RN1110(T5LFT)CT
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1107CT(TPL3)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1112(T5L,F,T)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

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RN1111ACT(TPL3)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1110ACT(TPL3)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1109(T5L,F,T)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1109,LF(CT

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

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RN1109CT(TPL3)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1111MFV,L3F

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विवरण: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1111CT(TPL3)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1111,LF(CT

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1108(T5L,F,T)

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