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RN1426TE85LF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RN1426TE85LF
  • निर्माता / ब्रांड
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RN1426TE85LF.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 1mA, 50mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    S-Mini
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    10 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    1 kOhms
  • पावर - मैक्स
    200mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • दुसरे नाम
    RN1426(TE85L,F)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    11 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    300MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    90 @ 100mA, 1V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    800mA
  • आधार भाग संख्या
    RN142*
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "RN1426TE85LF" संबंधित उत्पाद हैं।
RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
RN142-2-02-6M8

RN142-2-02-6M8

विवरण: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN1424TE85LF

RN1424TE85LF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
RN142-4-02-3M3

RN142-4-02-3M3

विवरण: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN142-6-02

RN142-6-02

विवरण: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN1425TE85LF

RN1425TE85LF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
RN143-0.5-02

RN143-0.5-02

विवरण: CMC 100MH 500MA 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN143-1-02

RN143-1-02

विवरण: COMMON MODE CHOKE 47MH 1A 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN142ZS8ATE61

RN142ZS8ATE61

विवरण: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD8

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RN1423TE85LF

RN1423TE85LF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
RN142STE61

RN142STE61

विवरण: DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RN142ZS12ATE61

RN142ZS12ATE61

विवरण: DIODE PIN HF SW 30V 50MA HMD12

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RN142-4-02

RN142-4-02

विवरण: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN142ZST2R

RN142ZST2R

विवरण: DIODE PIN 30V 50MA GMD2

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RN143-0.5-02-100M

RN143-0.5-02-100M

विवरण: CMC 100MH 500MA 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN142-6-02-1M8

RN142-6-02-1M8

विवरण: CMC 1.8MH 6A 2LN TH

निर्माता: Schaffner EMC, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN1427TE85LF

RN1427TE85LF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN142VTE-17

RN142VTE-17

विवरण: DIODE PIN 60V UMD

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RN142GT2R

RN142GT2R

विवरण: DIODE PIN 60V 100MA VMD2

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RN1422TE85LF

RN1422TE85LF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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