IRFR1N60ATR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFR1N60ATR
निर्माता / ब्रांड

Vishay / Siliconix
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRFR1N60ATR.pdf
वोल्टेज - टेस्ट

229pF @ 25V
वोल्टेज - टूटने

D-Pak
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

7 Ohm @ 840mA, 10V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला

-
RoHS स्थिति

Tape & Reel (TR)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.4A (Tc)
ध्रुवीकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
उत्पादक हिस्सा करमार्क

IRFR1N60ATR
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

14nC @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4V @ 250µA
FET फ़ीचर

N-Channel
विस्तारित विवरण

N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

-
विवरण

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

600V
समाई अनुपात

36W (Tc)

निम्नलिखित "IRFR1N60ATR" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFR18N15DTRL

विवरण: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

निर्माता: Infineon Technologies

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अग्रिम पंजीकरण

IRFR1N60ATR

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