W632GG6AB-12

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विशेष विवरण

भाग संख्या

W632GG6AB-12
निर्माता / ब्रांड

Winbond Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.425 V ~ 1.575 V
प्रौद्योगिकी

SDRAM - DDR3
शृंखला

-
परिचालन तापमान

0°C ~ 95°C (TC)
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

2Gb (128M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
घड़ी आवृत्ति

800MHz
अभिगम समय

20ns

निम्नलिखित "W632GG6AB-12" संबंधित उत्पाद हैं।

W632GG6KB-18

विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

निर्माता: Winbond Electronics Corporation

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