इलेक्ट्रॉनिका 2024 में आगंतुकों के लिए

अब अपना समय बुक करें!

यह सब लेता है कि आपकी जगह आरक्षित करने और बूथ टिकट प्राप्त करने के लिए कुछ क्लिक हैं

हॉल C5 बूथ 220

अग्रिम पंजीकरण

इलेक्ट्रॉनिका 2024 में आगंतुकों के लिए
आप सभी साइन अप करते हैं! एक नियुक्ति करने के लिए धन्यवाद!
एक बार जब हम आपके आरक्षण को सत्यापित कर चुके हैं, तो हम आपको ईमेल द्वारा बूथ टिकट भेजेंगे।
घर > उत्पाद > एकीकृत सर्किट (आईसीएस) > याद > W979H6KBVX2E TR
RFQs/आदेश (0)
हिंदी
हिंदी
254219W979H6KBVX2E TR छविWinbond Electronics Corporation

W979H6KBVX2E TR

कोट अनुरोध करें

कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक फ़ील्ड को पूरा करें। "RFQ सबमिट करें" हम आपको ईमेल द्वारा शीघ्र ही संपर्क करेंगे।या हमें ईमेल करें:info@ftcelectronics.com

संदर्भ मूल्य (यूएस डॉलर में)

स्टॉक में
3500+
$4.642
जांच ऑनलाइन
विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    W979H6KBVX2E TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Winbond Electronics Corporation
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    W979H6KBVX2E TR.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    134-VFBGA (10x11.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    134-VFBGA
  • दुसरे नाम
    W979H6KBVX2E TR-ND
    W979H6KBVX2ETR
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (32M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

एंथ्रोपिक अमेज़ॅन से एक और $ 4 बिल...

2024/11/23

सेमी: आईसी बिक्री में 12% की वृद...

2024/11/22

यह बताया गया है कि Kioxia को 22 नवंबर ...

2024/11/21

टॉवर सेमीकंडक्टर के नवीनतम सिलि...

2024/11/20

उद्योग धीरे -धीरे ठीक हो जाता है।...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

आपूर्तिकर्ता: RTX 50 श्रृंखला GPU घट...

2024/11/18

ताइवान, चीन सेमीकंडक्टर का आउटपु...

2024/11/17

OLED पैनलों के उत्पादन का विस्तार, ...

2024/11/15

अमेज़ॅन एनवीडिया पर निर्भरता को ...

2024/11/14

Pegatron का Q3 शुद्ध लाभ NT $ 4.296 बिलियन ...

2024/11/13
शिपिंग
भुगतान
निम्नलिखित "W979H6KBVX2E TR" संबंधित उत्पाद हैं।
W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH2KBQX2E

W97AH2KBQX2E

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH6KBVX2E TR

W97AH6KBVX2E TR

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH6KBQX2I

W97AH6KBQX2I

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH2KBQX2I

W97AH2KBQX2I

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH2KBVX2E

W97AH2KBVX2E

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H6KBVX2I

W979H6KBVX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W97AH2KBVX2I

W97AH2KBVX2I

विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
एकमात्र सार्वजनिक खुले बाजार वितरक के रूप में, हमारे पास वैश्विक पहुंच, विनिर्माण उद्योग विशेषज्ञता और सिद्ध गुणवत्ता का एक अनूठा संयोजन है।इसके साथ, हम इलेक्ट्रॉनिक्स घटकों सोर्सिंग और इन्वेंट्री प्रबंधन के लिए अनुकूलित, एंड-टू-एंड सप्लाई चेन सॉल्यूशंस बना सकते हैं।
हमारे पर का पालन करें
नियम एवं शर्तेंउल्लंघन नीतिएक उद्धरण का अनुरोध करेंहमारे बारे मेंसंपर्क करेंस्थल मानचित्र

भाषा चुनिए

बाहर निकलने के लिए स्थान पर क्लिक करें

वर्तमान भाषा

अपना देश या क्षेत्र चुनें।