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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    W9816G6JH-5
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    50-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Mb (1M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 200MHz 4.5ns 50-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • अभिगम समय
    4.5ns
W9816G6IH-6I

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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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W9825G2JB-75

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