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SemiQ

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परिचय

SemiQ - ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजीज ग्रुप, इंक। ("जीपीटीजी") 2007 में स्थापित एक एकीकृत विकास और विनिर्माण कंपनी है जो सिलिकॉन कार्बाइड (सीआईसी) प्रौद्योगिकियों के आधार पर उत्पादों को समर्पित है। ये उत्पाद भविष्य के वर्षों में बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स और ऊर्जा उद्योगों के लिए आधारभूत होंगे जहां कम लागत, अत्यधिक कुशल बिजली उत्पादन, रूपांतरण और संचरण के लिए उन्नत तकनीकों की आवश्यकता होती है।

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वर्ग
7
उत्पाद
373

असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद

GSXD030A010S1-D3

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 100V 30A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF030A040S1-D3

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विवरण: DIODE FAST REC 400V 30A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M005A060CG

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD060A018S1-D3

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D010A060A

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विवरण: SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M016A025HG

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विवरण: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS020A060S-D4

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विवरण: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M009A090FG

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD050A012S1-D3

GSXD050A012S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF100A060S1-D3

GSXF100A060S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 600V 100A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD080A018S1-D3

GSXD080A018S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GDP24P060B

GDP24P060B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M007A065CG

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M008A025CG

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विवरण: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA020A120MN-FD

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विवरण: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M005A060FG

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHIS080A120S-A2

GHIS080A120S-A2

विवरण: IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A040CG

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विवरण: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSXD060A008S1-D3

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GPA042A100L-ND

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विवरण: IGBT 1000V 60A 463W TO264

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSID200A170S3B1

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विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD080A004S1-D3

GSXD080A004S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में

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