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GSID200A170S3B1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GSID200A170S3B1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    SILICON IGBT MODULES
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    1200V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    1.9V @ 15V, 200A
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D3
  • शृंखला
    Amp+™
  • पावर - मैक्स
    1630W
  • पैकेज / प्रकरण
    D-3 Module
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 150°C
  • एनटीसी Thermistor
    No
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट समाई (CIES) @ Vce
    26nF @ 25V
  • इनपुट
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • विस्तृत विवरण
    IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1630W Chassis Mount D3
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    1mA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    400A
  • विन्यास
    2 Independent
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

विवरण: IGBT MODULE 1200V 335A

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

विवरण: DIODE 6A 800V GSIB-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSIPBL

GSIPBL

विवरण: TRIP INDICATOR CONVERSION KIT

निर्माता: Bussmann (Eaton)
स्टॉक में
GSID150A120S6A4

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विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID100A120T2P2

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विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID300A125S5C1

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विवरण: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSIB6A60N-M3/45

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विवरण: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

विवरण: IGBT MODULE 1200V 170A

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID150A120S5C1

GSID150A120S5C1

विवरण: IGBT MODULE 1200V 285A

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

विवरण: DIODE 6A 600V GSIB-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GSIPBS

GSIPBS

विवरण: GSIPBS ADD-ON INDICATOR KIT

निर्माता: Bussmann (Eaton)
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GSID300A120S5C1

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विवरण: IGBT MODULE 1200V 430A

निर्माता: Global Power Technologies Group
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