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4375511N4006FFG छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4006FFG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    1N4006FFG
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    800V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Axial
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • दुसरे नाम
    1N4006FFGOSCT
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    42 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 800V 1A Through Hole Axial
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 800V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
  • आधार भाग संख्या
    1N4006
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
1N4006FF

1N4006FF

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

निर्माता: ON Semiconductor
स्टॉक में
1N4006E-E3/54

1N4006E-E3/54

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
1N4006G

1N4006G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
1N4006G A0G

1N4006G A0G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
1N4006-TP

1N4006-TP

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
1N4006-N-2-3-AP

1N4006-N-2-3-AP

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
1N4006-T

1N4006-T

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
1N4006E-E3/73

1N4006E-E3/73

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
1N4006-N-2-4-AP

1N4006-N-2-4-AP

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
1N4006G-T

1N4006G-T

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
1N4006G R0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
1N4006G R1G

1N4006G R1G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
1N4006-N-2-2-BP

1N4006-N-2-2-BP

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
1N4006G B0G

1N4006G B0G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
1N4006B-G

1N4006B-G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

निर्माता: Comchip Technology
स्टॉक में
1N4006GHA0G

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
1N4006G

1N4006G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

निर्माता: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
स्टॉक में
1N4006/54

1N4006/54

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N4006G BK

1N4006G BK

विवरण: DIODE GEN PURPOSE DO41

निर्माता: Central Semiconductor
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