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2SB1216T-H

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    2SB1216T-H
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PNP 100V 4A TP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    100V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    500mV @ 200mA, 2A
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    PNP
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TP
  • शृंखला
    -
  • पावर - मैक्स
    1W
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    130MHz
  • विस्तृत विवरण
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 130MHz 1W Through Hole TP
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    200 @ 500mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    1µA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    4A
  • आधार भाग संख्या
    2SB1216
2SB1215T-TL-H

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2SB1218AQL

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2SB1216S-H

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