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FCI25N60N

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FCI25N60N
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    FCI25N60N.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    I2PAK (TO-262)
  • शृंखला
    SupreMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    125 mOhm @ 12.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    216W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3352pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    74nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    25A (Tc)

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भुगतान
निम्नलिखित "FCI25N60N" संबंधित उत्पाद हैं।
IRFH5206TRPBF

IRFH5206TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
NTS4101PT1G

NTS4101PT1G

विवरण: MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SPP03N60S5HKSA1

SPP03N60S5HKSA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRLR7833TR

IRLR7833TR

विवरण: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
2N7000RLRMG

2N7000RLRMG

विवरण: MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IXFA20N50P3

IXFA20N50P3

विवरण: MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
RTR025P02TL

RTR025P02TL

विवरण: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
AON7407

AON7407

विवरण: MOSFET P-CH 20V 14.5A 8DFN

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
AUIRLR2905

AUIRLR2905

विवरण: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
FDS4465_SN00187

FDS4465_SN00187

विवरण: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FCI11N60

FCI11N60

विवरण: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFB4215PBF

IRFB4215PBF

विवरण: MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
NTD78N03T4

NTD78N03T4

विवरण: MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FCI25N60N-F102

FCI25N60N-F102

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRFBF20L

IRFBF20L

विवरण: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
FCI7N60

FCI7N60

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
AOK9N90

AOK9N90

विवरण: MOSFET N-CH 900V 9A TO247

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
IPW65R041CFDFKSA1

IPW65R041CFDFKSA1

विवरण: MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
EPC2818

EPC2818

विवरण: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

निर्माता: EPC
स्टॉक में
RFQ
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