FCU4300N80Z

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FCU4300N80Z

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FCU4300N80Z.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.5V @ 160µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

I-PAK

शृंखला

SuperFET® II

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4.3 Ohm @ 800mA, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

27.8W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

355pF @ 100V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

8.8nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

800V

विस्तृत विवरण

N-Channel 800V 1.6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole I-PAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.6A (Tc)

निम्नलिखित "FCU4300N80Z" संबंधित उत्पाद हैं।

FCU900N60Z

विवरण: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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