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FDS3890

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FDS3890
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    FDS3890.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    PowerTrench®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    44 mOhm @ 4.7A, 10V
  • पावर - मैक्स
    900mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    FDS3890-ND
    FDS3890TR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1180pF @ 40V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    35nC @ 10V
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • FET फ़ीचर
    Logic Level Gate
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    80V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 4.7A 900mW Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    4.7A
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