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FJNS4209RTA

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FJNS4209RTA
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

FJNS4209RTA.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

40V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

300mV @ 1mA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

PNP - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92S
शृंखला

-
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

4.7 kOhms
पावर - मैक्स

300mW
पैकेजिंग

Tape & Box (TB)
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 Short Body
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

200MHz
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

100 @ 1mA, 5V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

100nA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA

निम्नलिखित "FJNS4209RTA" संबंधित उत्पाद हैं।

FJNS4205RBU

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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