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5255683FJNS4207RBU छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJNS4207RBU

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FJNS4207RBU
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    FJNS4207RBU.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    PNP - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-92S
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    22 kOhms
  • पावर - मैक्स
    300mW
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    200MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA

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FJNS4208RTA

FJNS4208RTA

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FJNS4205RTA

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FJNS4210RTA

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FJNS4203RBU

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FJNS4202RTA

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FJNS4207RTA

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FJNS4206RTA

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FJNS4204RBU

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FJNS4210RBU

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FJNS4211RBU

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FJNS4208RBU

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FJNS4206RBU

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FJNS4204RTA

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FJNS4203RTA

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FJNS4212RBU

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FJNS4211RTA

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