FJP3835TU

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FJP3835TU
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS NPN 120V 8A TO-220
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

1.FJP3835TU.pdf
2.FJP3835TU.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

120V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

500mV @ 300mA, 3A
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220-3
शृंखला

-
पावर - मैक्स

50W
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

30MHz
विस्तृत विवरण

Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 8A 30MHz 50W Through Hole TO-220-3
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

120 @ 3A, 4V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

100µA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

8A

निम्नलिखित "FJP3835TU" संबंधित उत्पाद हैं।

FJP5021OV

विवरण: TRANS NPN 500V 5A TO-220

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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