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FJV3101RMTF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FJV3101RMTF
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.FJV3101RMTF.pdf
    2.FJV3101RMTF.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-23-3 (TO-236)
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    4.7 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms
  • पावर - मैक्स
    200mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • दुसरे नाम
    FJV3101RMTF-ND
    FJV3101RMTFTR
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    13 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    20 @ 10mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    FJV3101
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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FJV3114RMTF

FJV3114RMTF

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJV3110RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV1845FMTF

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विवरण: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23

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FJV3105RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV1845PMTF

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विवरण: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23

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FJV3112RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV3109RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV1845UMTF

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FJV3103RMTF

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FJV3106RMTF

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FJV4102RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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FJV3113RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV3107RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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FJV4101RMTF

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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