FQI3N80TU

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FQI3N80TU
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

FQI3N80TU.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

I2PAK (TO-262)
शृंखला

QFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

5 Ohm @ 1.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.13W (Ta), 107W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

690pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

19nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

800V
विस्तृत विवरण

N-Channel 800V 3A (Tc) 3.13W (Ta), 107W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3A (Tc)

निम्नलिखित "FQI3N80TU" संबंधित उत्पाद हैं।

FQI3P50TU

विवरण: MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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