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5821948FQNL2N50BTA छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQNL2N50BTA

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FQNL2N50BTA
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.FQNL2N50BTA.pdf
    2.FQNL2N50BTA.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.7V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-92-3
  • शृंखला
    QFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    5.3 Ohm @ 175mA, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.5W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • दुसरे नाम
    FQNL2N50BTACT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    230pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    8nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    500V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    350mA (Tc)
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "FQNL2N50BTA" संबंधित उत्पाद हैं।
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

विवरण: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

विवरण: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

विवरण: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

विवरण: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

विवरण: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
BUZ31 E3045A

BUZ31 E3045A

विवरण: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
FCD5N60-F085

FCD5N60-F085

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
AOB2910L

AOB2910L

विवरण: MOSFET N CH 100V 6A TO263

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
2SK4222

2SK4222

विवरण: MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

विवरण: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

विवरण: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
SI4840BDY-T1-E3

SI4840BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

विवरण: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IRF737LCS

IRF737LCS

विवरण: MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
AUIRF7769L2TR

AUIRF7769L2TR

विवरण: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

विवरण: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

विवरण: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
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