H11F2M

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विशेष विवरण

भाग संख्या

H11F2M
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

H11F2M.pdf
वोल्टेज - आउटपुट (मैक्स)

30V
वोल्टेज - अलगाव

7500Vpk
वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)

1.3V
Vce संतृप्ति (मैक्स)

-
चालू करें / बंद करें समय (टाइप)

45µs, 45µs (Max)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-DIP
शृंखला

-
उठो / पतन समय (टाइप)

-
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

6-DIP (0.300", 7.62mm)
उत्पादन का प्रकार

MOSFET
परिचालन तापमान

-40°C ~ 100°C
चैनलों की संख्या

1
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट प्रकार

DC
विस्तृत विवरण

Optoisolator MOSFET Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (न्यूनतम)

-
वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (मैक्स)

-
वर्तमान - आउटपुट / चैनल

-
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)

60mA

निम्नलिखित "H11F2M" संबंधित उत्पाद हैं।

H11F3300

विवरण: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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