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H11F2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    H11F2
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - आउटपुट (मैक्स)
    30V
  • वोल्टेज - अलगाव
    5300Vrms
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    1.3V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स)
    -
  • चालू करें / बंद करें समय (टाइप)
    25µs, 25µs (Max)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    6-DIP
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • उत्पादन का प्रकार
    MOSFET
  • दुसरे नाम
    H11F2GE
    H11F2QT
    H11F2QT-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 100°C
  • चैनलों की संख्या
    1
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    DC
  • विस्तृत विवरण
    Optoisolator MOSFET Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (न्यूनतम)
    -
  • वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (मैक्स)
    -
  • वर्तमान - आउटपुट / चैनल
    -
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    60mA
H11F3

H11F3

विवरण: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

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H11F1W

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H11F1S

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H11F1SM

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H11F2SD

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H11F2W

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H11F23S

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H11F2S

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H11F3300

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H11F2300W

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H11F1SD

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H11F23SD

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H11F13S

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H11F1TVM

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H11F2M

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H11F2300

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