MMUN2130LT1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

MMUN2130LT1
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

MMUN2130LT1.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 5mA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

PNP - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

1 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

1 kOhms
पावर - मैक्स

246mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

3 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA
आधार भाग संख्या

MMUN21**L

निम्नलिखित "MMUN2130LT1" संबंधित उत्पाद हैं।

MMUN2115LT1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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