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MMUN2135LT1G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MMUN2135LT1G
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    MMUN2135LT1G.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    PNP - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-23 (TO-236AB)
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    2.2 kOhms
  • पावर - मैक्स
    246mW
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • दुसरे नाम
    MMUN2135LT1GOSCT
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    36 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
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MMUN2130LT1G

MMUN2130LT1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

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MMUN2133LT1G

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

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MMUN2211LT1

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MMUN2138LT1G

MMUN2138LT1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

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MMUN2211LT1G

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MMUN2114LT3G

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

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MMUN2212LT1

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MMUN2211LT3

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