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MMUN2213LT1G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MMUN2213LT1G
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    MMUN2213LT1G.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-23-3 (TO-236)
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    47 kOhms
  • पावर - मैक्स
    246mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • दुसरे नाम
    MMUN2213LT1GOS
    MMUN2213LT1GOS-ND
    MMUN2213LT1GOSTR
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    36 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    MMUN22**L
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MMUN2141LT1G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2216LT1G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3

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MMUN2212LT1

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2211LT3

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2231LT1G

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MMUN2138LT1G

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MMUN2215LT1

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2214LT1G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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MMUN2231LT1

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