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5271243MUN5233DW1T1 छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5233DW1T1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MUN5233DW1T1
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    MUN5233DW1T1.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 1mA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms
  • पावर - मैक्स
    250mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    -
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    MUN52**DW1T

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5232T1

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MUN5230DW1T1

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

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MUN5230DW1T1G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

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MUN5233T1G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

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MUN5234DW1T1G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5232DW1T1

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

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MUN5234T1

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MUN5231DW1T1G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

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MUN5234DW1T1

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