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NGTG20N60L2TF1G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NGTG20N60L2TF1G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    1.65V @ 15V, 20A
  • परीक्षण स्थिति
    300V, 20A, 30 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    60ns/193ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    -
  • शृंखला
    -
  • पावर - मैक्स
    64W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-3P-3 Full Pack
  • दुसरे नाम
    NGTG20N60L2TF1GOS
  • परिचालन तापमान
    175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    4 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    84nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 40A 64W Through Hole
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    105A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    40A
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

विवरण: IGBT 600V 60A 167W TO247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTG50N60FWG

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विवरण: IGBT 600V 100A 223W TO247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTD9R120F2SWK

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विवरण: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

विवरण: DIODE GEN PURP 650V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

विवरण: DIODE GEN PURP 650V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

विवरण: DIODE GEN PURP 650V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTG15N60S1EG

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विवरण: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

विवरण: IGBT 600V 50A TO247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
NGTG30N60FLWG

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विवरण: IGBT 600V 60A 250W TO247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTD28T65F2WP

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विवरण: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NGTG12N60TF1G

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विवरण: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

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NGTG40N120FL2WG

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विवरण: IGBT 1200V 40A TO-247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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विवरण: IGBT 1200V 25A TO-247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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विवरण: IGBT 650V 60A 167W TO247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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विवरण: IGBT 1200V 15A TO-247

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NGTD5R65F2SWK

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विवरण: DIODE GEN PURP 650V DIE

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