NSBA115EDXV6T1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NSBA115EDXV6T1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NSBA115EDXV6T1G.pdf

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V

Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 300µA, 10mA

ट्रांजिस्टर प्रकार

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-563

शृंखला

-

प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

100 kOhms

प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

100 kOhms

पावर - मैक्स

500mW

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

SOT-563, SOT-666

दुसरे नाम

NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

5 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

आवृत्ति - संक्रमण

-

विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

80 @ 5mA, 10V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA

आधार भाग संख्या

NSBA1*

निम्नलिखित "NSBA115EDXV6T1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NSBA114TF3T5G

विवरण: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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