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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NSBA123EF3T5G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS DUAL PNP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 5mA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    PNP - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-1123
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    2.2 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    2.2 kOhms
  • पावर - मैक्स
    254mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-1123
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    13 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
NSBA123JDXV6T1G

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA115TF3T5G

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

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NSBA114YDP6T5G

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

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NSBA114YDXV6T1

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBA123EDXV6T1

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