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NSBC123JDP6T5G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NSBC123JDP6T5G
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NSBC123JDP6T5G.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-963
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    2.2 kOhms
  • पावर - मैक्स
    339mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-963
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    2 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    -
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
  • आधार भाग संख्या
    NSBC1*
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NSBC115TDP6T5G

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NSBC123TDP6T5G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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NSBC115TF3T5G

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NSBC123JDXV6T5

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NSBC123EPDXV6T1G

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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NSBC123EDXV6T1G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

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NSBC123JF3T5G

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NSBC123TF3T5G

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NSBC123EPDXV6T1

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NSBC123JPDXV6T1

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NSBC115TPDP6T5G

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NSBC123JPDP6T5G

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

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NSBC115EDXV6T1G

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विवरण: SS SOT563 RSTR XSTR TR

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963

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