NTD4858NA-35G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTD4858NA-35G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTD4858NA-35G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

I-PAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6.2 mOhm @ 30A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-251-3 Stub Leads, IPak
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1563pF @ 12V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

19.2nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

25V
विस्तृत विवरण

N-Channel 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11.2A (Ta), 73A (Tc)

निम्नलिखित "NTD4858NA-35G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTD4863N-1G

विवरण: MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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