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NTHS4166NT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTHS4166NT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

NTHS4166NT1G.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.3V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

ChipFET™

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

22 mOhm @ 4.9A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

800mW (Ta)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-SMD, Flat Lead

दुसरे नाम

NTHS4166NT1G-ND
NTHS4166NT1GOSTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

20 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

900pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

18nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 4.9A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount ChipFET™

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.9A (Ta)

निम्नलिखित "NTHS4166NT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTHS1206N17N2203JP

विवरण: THERM NTC 220KOHM 4064K 1206

निर्माता: Dale / Vishay

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