NTHS4501NT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NTHS4501NT1G
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NTHS4501NT1G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

ChipFET™
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

38 mOhm @ 4.9A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.3W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SMD, Flat Lead
दुसरे नाम

NTHS4501NT1GOSTR
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

462pF @ 24V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9.1nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.9A (Ta)

निम्नलिखित "NTHS4501NT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

NTHS5443T1G

विवरण: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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