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NTTFS4937NTWG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NTTFS4937NTWG
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NTTFS4937NTWG.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.2V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    4.5 mOhm @ 20A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    860mW (Ta), 43.1W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerWDFN
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    2 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2540pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    35.5nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 11A (Ta), 75A (Tc) 860mW (Ta), 43.1W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    11A (Ta), 75A (Tc)
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निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NTTFS4943NTAG

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 41A 8WDFN

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NTTFS4929NTWG

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN

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NTTFS4929NTAG

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN

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