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RM25C256DS-LMAI-T

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RM25C256DS-LMAI-T
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8UDFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    100µs, 2.5ms
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.65 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    CBRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-UDFN (2x3)
  • शृंखला
    Mavriq™
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-UFDFN Exposed Pad
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256kb (64B Page Size)
  • मेमोरी इंटरफेस
    SPI
  • मेमोरी प्रारूप
    CBRAM®
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    CBRAM Memory IC 256kb (64B Page Size) SPI 20MHz 8-UDFN (2x3)
  • घड़ी आवृत्ति
    20MHz
RM25C256DS-LSNI-T

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विवरण: IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC

निर्माता: Adesto Technologies
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विवरण: IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8SOIC

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विवरण: IC CBRAM 32K SPI 5MHZ 8TSSOP

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विवरण: IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

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विवरण: IC CBRAM 128K SPI 20MHZ 8TSSOP

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विवरण: IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8UDFN

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विवरण: IC CBRAM 256K SPI 10MHZ 8SOIC

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