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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    ALD110904PAL
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    420mV @ 1µA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-PDIP
  • शृंखला
    EPAD®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    500 Ohm @ 4.4V
  • पावर - मैक्स
    500mW
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • दुसरे नाम
    1014-1036
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2.5pF @ 5V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    -
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET फ़ीचर
    Standard
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    10.6V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    12mA, 3mA
ALD1110EPAL

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विवरण: MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

निर्माता: Advanced Linear Devices, Inc.
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विवरण: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

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