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AS4C16M16MD1-6BCNTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C16M16MD1-6BCNTR
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 256M PARALLEL 60FPBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C16M16MD1-6BCNTR.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-FPBGA (8x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    60-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (16M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 60-FPBGA (8x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
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  • भुगतान

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AS4C16M16S-6TANTR

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निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16S-6TCN

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AS4C16M16S-6BIN

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AS4C16M16MD1-6BIN

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AS4C16M16S-6TCNTR

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AS4C16M16D1A-5TCNTR

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AS4C16M16D1-5TINTR

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AS4C16M16D1A-5TCN

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C16M16MD1-6BCN

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AS4C16M16S-6TAN

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AS4C16M16D1A-5TIN

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AS4C16M16D1A-5TINTR

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AS4C16M16D2-25BCN

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