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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C256M16D3LA-12BINTR
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C256M16D3LA-12BINTR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.283 V ~ 1.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3L
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    96-FBGA (13x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    96-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (256M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    800MHz
  • अभिगम समय
    20ns

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AS4C256M16D3LA-12BCN

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3L-12BCN

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निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3L-12BCNTR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3LA-12BCNTR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3LA-12BIN

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M32MD2-18BIN

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विवरण: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

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AS4C256M16D3LA-12BAN

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AS4C256M16D3LB-12BINTR

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M16D3LB-12BIN

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AS4C256M32MD2-18BCNTR

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विवरण: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

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विवरण: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

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AS4C256M16D3L-12BIN

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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