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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C256M8D3LB-12BCN
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.283 V ~ 1.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR3L
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    78-FBGA (10.5x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    78-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 95°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Gb (256M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x8)
  • घड़ी आवृत्ति
    800MHz
  • अभिगम समय
    20ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C2M32D1-5TIN

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C2M32D1A-5BIN

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C256M8D3L-12BIN

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AS4C2M32D1-5BCN

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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AS4C2M32D1-5BIN

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AS4C2M32D1-5TCN

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