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AS4C2M32S-6TIN

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C2M32S-6TIN
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C2M32S-6TIN.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    2ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    86-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • दुसरे नाम
    1450-1076
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    64Mb (2M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5.5ns
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AS4C2M32SA-6TCNTR

AS4C2M32SA-6TCNTR

विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C2M32S-7TCNTR

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C2M32S-5TCN

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AS4C2M32SA-6TIN

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AS4C2M32D1A-5BCNTR

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 144LFBGA

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AS4C2M32D1A-5BINTR

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AS4C2M32S-6BIN

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