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AS4C32M16MS-7BCNTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C32M16MS-7BCNTR
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
    AS4C32M16MS-7BCNTR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    54-BGA (9x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    54-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (32M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-BGA (9x8)
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
  • अभिगम समय
    5.4ns
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  • शिपिंग
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AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

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AS4C32M16MD1A-5BCN

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C32M16MD1-5BINTR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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AS4C32M16SA-7BINTR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

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AS4C32M16MS-7BCN

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AS4C32M16MSA-6BINTR

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AS4C32M16SA-7BCN

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AS4C32M16SA-7BIN

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AS4C32M16SA-7TCNTR

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AS4C32M16MSA-6BIN

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AS4C32M16SA-7TCN

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AS4C32M16MD1-6BCN

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AS4C32M16SA-7TINTR

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AS4C32M16MD1-5BCN

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AS4C32M16MD1A-5BCNTR

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AS4C32M16D3L-12BINTR

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AS4C32M16SA-7BCNTR

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AS4C32M16MD1-6BCNTR

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AS4C32M16MD1-5BIN

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