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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C32M8SA-6TINTR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    54-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (32M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 166MHz 5.5ns 54-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5.5ns
AS4C32M32MD2A-25BCNTR

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16D1A-5TAN

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M8SA-7TCNTR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2A-25BCN

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16D1-5TIN

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M8SA-6TIN

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C32M32MD2-25BCNTR

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

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AS4C32M32MD2-25BCN

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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AS4C32M32MD1A-5BINTR

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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