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AS4C4M32MSA-6BINTR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C4M32MSA-6BINTR
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C4M32MSA-6BINTR.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    90-FBGA (8x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    90-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Mb (4M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-FBGA (8x13)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5.5ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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AS4C4M32D1A-5BINTR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-7TCNTR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-6TIN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

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AS4C4M32D1A-5BCN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32D1-5BCN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-7TCN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-6BIN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32S-6BINTR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C4M32S-7BCNTR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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AS4C4M16SA-7TCN

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AS4C4M16SA-7TCNTR

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AS4C4M32D1A-5BCNTR

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AS4C4M16SA-7BCNTR

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C4M32D1-5BIN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA

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AS4C4M32MSA-6BIN

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