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AS4C64M16MD2A-25BCN

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C64M16MD2A-25BCN
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C64M16MD2A-25BCN.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    134-FBGA (10x11.5)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    134-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (64M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    4 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M16MD1-5BINTR

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M16MD1-6BCN

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD1A-5BINTR

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD1-5BINTR

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M32MD2-25BCNTR

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AS4C64M16MD1-6BCNTR

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AS4C64M4SA-6TIN

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AS4C64M16MD2-25BCNTR

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AS4C64M32MD2A-25BCN

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AS4C64M16MD1-5BIN

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AS4C64M16MD2-25BCN

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AS4C64M16MD1-6BIN

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विवरण: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M16MD2A-25BCNTR

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AS4C64M32MD2-25BCN

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AS4C64M16MD1A-5BIN

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AS4C64M32MD2A-25BCNTR

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AS4C64M16MD1-6BINTR

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AS4C64M32MD1-5BCNTR

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AS4C64M32MD1-5BCN

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