AS4C8M16S-6TINTR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

AS4C8M16S-6TINTR
निर्माता / ब्रांड

Alliance Memory, Inc.
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

AS4C8M16S-6TINTR.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

2ns
वोल्टेज आपूर्ति

3 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SDRAM
प्रदायक डिवाइस पैकेज

54-TSOP II
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

128Mb (8M x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

DRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
घड़ी आवृत्ति

166MHz
अभिगम समय

5ns

निम्नलिखित "AS4C8M16S-6TINTR" संबंधित उत्पाद हैं।

AS4C8M16SA-6BIN

विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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