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AS4C8M16SA-6TCN

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C8M16SA-6TCN
  • निर्माता / ब्रांड
    Alliance Memory, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AS4C8M16SA-6TCN.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    12ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    54-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • दुसरे नाम
    1450-1266
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Mb (8M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5ns
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-7TCN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-6TCNTR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16SA-7TCNTR

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AS4C8M16S-7BCN

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C8M16SA-6TIN

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AS4C8M16SA-6TANTR

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AS4C8M32MSA-6BIN

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AS4C8M16SA-6TAN

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